*CAPACIDAD 256 GB/512 GB/ 1TB
*FLASH NANO: 3D NANO
*INTERFAZ:PCIE GEN 3X4
*FACTOR DE FORMA: M.2 2280
*LECTURA DE ESCRITURA SECUENCIAL (MAX) LECTURA DE 2000 MB/S ESCRIBIR 1600 MB/S
* IOPS DE LECTURA/ESCRITURA ALEATORIA DE 4K (MAX) 180K/ 280K
*TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO 0°C- 70°C
*TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO -40°C -85°C
*RESISTENCIA A LOS GOLPES 1500G/ 0.5 MS
*DIMENCIONES (LX AN XAL )
80 X 22 X 3,13 ( CON DISIPADOR DE CALOR)
80 X 22 X 2,15 MM (SIN DISIPADOR DE CALOR)
*PESO
9G/ 0,32 OZ (CON DISIPADOR DE CALOR)
6.2 G/ 0.22 OZ (SIN DISIPADOR DE CALOR)
*TERABYTES ESCRITOS 8(TBW) ( CAPACIDAD MAX) 320 TB
*MTBE:1,500,000 HORAS
*GARANTíA: 3 AñOS
*CERTIFICACIONES: CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, MARRUECOS, REINO UNIDO CA, RO HS
*FLASH NANO: 3D NANO
*INTERFAZ:PCIE GEN 3X4
*FACTOR DE FORMA: M.2 2280
*LECTURA DE ESCRITURA SECUENCIAL (MAX) LECTURA DE 2000 MB/S ESCRIBIR 1600 MB/S
* IOPS DE LECTURA/ESCRITURA ALEATORIA DE 4K (MAX) 180K/ 280K
*TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO 0°C- 70°C
*TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO -40°C -85°C
*RESISTENCIA A LOS GOLPES 1500G/ 0.5 MS
*DIMENCIONES (LX AN XAL )
80 X 22 X 3,13 ( CON DISIPADOR DE CALOR)
80 X 22 X 2,15 MM (SIN DISIPADOR DE CALOR)
*PESO
9G/ 0,32 OZ (CON DISIPADOR DE CALOR)
6.2 G/ 0.22 OZ (SIN DISIPADOR DE CALOR)
*TERABYTES ESCRITOS 8(TBW) ( CAPACIDAD MAX) 320 TB
*MTBE:1,500,000 HORAS
*GARANTíA: 3 AñOS
*CERTIFICACIONES: CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, MARRUECOS, REINO UNIDO CA, RO HS
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